日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀
日本otsuka大塚分光干涉式晶圓膜厚儀

產(chǎn)品特色

• 即時檢測：能夠?qū)崟r檢測晶圓（WAFER）基板在研磨過程中的膜厚，以及玻璃基板在強酸環(huán)境中減薄過程中的厚度變化。
• 非接觸式、非破壞性：利用光學式方法進行膜厚檢測，無需接觸樣品，不會對樣品造成破壞。
• 分光干涉法：采用分光干涉法實現(xiàn)高精度的檢測再現(xiàn)性。
• 高速檢測：能夠進行高速的即時研磨檢測。
• 多層檢測：可以穿越保護膜、觀景窗等中間層進行檢測。
• 適應性強：可以對應長工作距離，容易安裝在產(chǎn)線或設(shè)備中。
• 體積小：節(jié)省空間，設(shè)備安裝簡易。
• 線上檢測：可以對應線上檢測的外部信號觸發(fā)需求。
• 算法：采用適合膜厚檢測的獨自解析演算法（已取得）。
• 膜厚分布制圖：可以自動進行膜厚分布制圖（選配項目）。

規(guī)格樣式

• 膜厚測量范圍：0.1 μm ~ 1600μm（根據(jù)不同光譜儀種類，厚度測量范圍可能不同）。
• 膜厚精度：±0.1% 以下。
• 重復精度：0.001% 以下。
• 測量時間：10毫秒以下。
• 測量光源：半導體光源。
• 測量口徑：φ27μm（最小可達φ6μm）。
• 工作距離（WD）：3 mm ~ 200 mm。